檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "洪儒生".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="氮化鎵"
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本論文研究主要是應用高溫爐法，以鎵金屬及氨氣做為鎵與氮的來源，於鍍金的矽基板上成長氮化鎵奈米線。在實驗參數設計上，則藉由控制基板的位置、鎵源的汽化溫度，來改變提供鎵源的量，同時由不同的反應氣體流量與…
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本論文研究主要在於利用水平式高溫爐化學氣相沉積法成長氮化鎵及其相關的一維奈米線材料。在氮化鎵奈米線的成長上，主要使用乙醯丙酮鎵(III)(Gallium(III) acetylacetonate)與…
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本研究中，我們在n-GaN/Sapphire基材上以自組裝的有機金屬化學氣相沈積（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）系統成長氮化鎵(GaN…
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本論文研發氮化鎵表面結構化技術並嘗試應用於提升氮化鎵太 陽能電池光電流。本實驗所使用的商用氮化鎵晶圓原是為做LED元件 設計，主動層較薄。過薄的主動層將使得太陽能電池光吸收率不佳， 因此希望透過散射…
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本論文研發氮化鎵表面粗糙化技術並嘗試應用於提升氮化鎵太陽能電池光電流。由於商用氮化鎵晶圓是為做LED元件設計，主動層多重量子井數目較少。為了避免QCSE (quantum-confined Star…
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在發光二極體(Light emitting diode, LED)中，串聯電阻造成額外的能量損耗並產生熱，為降低串聯電阻值，本論文先建立LED元件電路模型，依據電流擴散路徑，分析總串聯電阻分別為何處…
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本論文利用三族氮化物中，具有紫外光至藍光吸收波段之氮化鎵材料研製光偵測器，可應用為紫外光或藍光感測器，並以GaN/InGaN多重量子井主動層結構製作PIN(p-intrinsic-n-type)光偵…